BJT adalah singkatan dari Bipolar Junction Transistor. Ini adalah perangkat elektronik tiga terminal yang dibangun dari bahan semikonduktor yang diolah dan dapat digunakan dalam memperkuat atau mengganti aplikasi.
Jadi ada beberapa jenis transistor: BJT JFET MOSFET Gabungkan semua itu dengan berbagai rasa masing-masing (NPN, PNP, mode peningkatan, mode penipisan, HEXFET, dll.) Dan Anda memiliki beragam bagian, yang banyak di antaranya mampu menyelesaikan pekerjaan yang sama. Jenis mana yang paling cocok...
Dalam eksperimen saya, saya hanya menggunakan BJT sebagai sakelar (untuk menghidupkan dan mematikan hal-hal seperti LED dan semacamnya) untuk keluaran MCU saya. Saya sudah berulang kali diberitahu, bahwa MOSFET mode-peningkatan saluran-N adalah pilihan yang lebih baik untuk switch (lihat di sini...
Bentuk lain dari pertanyaan adalah: akan bergabung dengan dua dioda dengan kabel (pn-np) membuat transistor-setara? Saya membaca bahwa mereka tidak setara, tetapi
Saya telah melihat tutorial yang ditujukan untuk pemula menyarankan cara untuk mengarahkan LED dari sesuatu tanpa cukup drive saat ini adalah ini: (opsi A) tapi kenapa tidak ini: (opsi B) Opsi B tampaknya memiliki beberapa keunggulan dibandingkan opsi A: lebih sedikit komponen Transistor...
Saya mengerti bahwa dalam "mode saturasi", fungsi BJT sebagai saklar sederhana. Saya telah menggunakan ini sebelum mengendarai LED, tetapi saya tidak yakin saya mengerti dengan jelas bagaimana saya membuat transistor menjadi seperti itu. Apakah BJT menjadi jenuh dengan menaikkan Vbe di atas ambang...
Saya telah membuat rangkaian yang ditampilkan. Saya menggunakan baterai 9V (benar-benar membuang 9.53V) dan 5V yang berasal dari Arduino untuk menguji dengan volt 9 dan 5. Transistornya adalah BC 548B (datasheet yang saya gunakan ada di sini ). mensimulasikan rangkaian ini - Skema dibuat...
Apa yang akan terjadi jika untuk transistor BJT, terminal emitornya diperlakukan sebagai kolektor dan kolektor sebagai emitor dalam rangkaian penguat emitor yang
Saya sering melihat penggunaan resistor penarik untuk basis transistor bipolar, misalnya sini:R 2R2R2 Mengapa ini digunakan? Saya mengerti resistor tarik untuk FET, karena impedansi tinggi gerbang EMI dapat dengan mudah beralih. Tetapi BJT membutuhkan arus basis untuk membuka dan, saya pikir,...
Sebagai seorang hobiis yang suka memasukkan BJT dan komponen diskrit ke papan tempat memotong roti tanpa solder untuk hiburan dan pendidikan, saya menyadari bahwa orang-orang seperti saya adalah pasar yang tidak cukup untuk menjadikannya bermanfaat bagi produsen untuk melanjutkan produksi. Saya...
BJT sebagian besar digunakan dalam emitor umum, kadang-kadang konfigurasi kolektor umum. Saya jarang melihat pangkalan bersama. Kapan Anda akan menggunakan BJT di pangkalan bersama? Misalnya, parameter apa yang berbeda dari emitor
Ini adalah struktur IC driver gerbang FAN3100: (diambil dari datasheet-nya ) Seperti yang Anda lihat - ada dua sakelar ouput: CMOS dan BJT. Mengapa mereka menempatkan
Pertimbangkan sketsa CircuitLab sederhana dari rangkaian ini (sumber saat ini): Saya tidak yakin bagaimana cara menghitung disipasi daya pada transistor. Saya mengambil kelas dalam elektronik dan memiliki persamaan berikut dalam catatan saya (tidak yakin apakah itu
Saya melihat sirkuit ini banyak di preamps mikrofon electret, tapi saya tidak mengerti itu. FET dioperasikan sebagai sumber umum amplifier, sehingga memiliki keuntungan, membalikkan, dan memiliki impedansi keluaran yang relatif tinggi. Jadi itu akan masuk akal untuk mengikutinya dengan...
Dari pemahaman saya, peran tahap output adalah untuk mengurangi impedansi hampir 0. Untuk itu, MOSFET tampaknya lebih cocok karena mereka punya cara yang lebih rendah RdsRdsR_{ds} . Namun saya cukup sering melihat BJT sebagai buffer dalam desain diskrit, sering dalam konfigurasi Darlington untuk...
Berikut ini adalah untuk pekerjaan hobi dan saya tidak punya niat komersial sama sekali. Hanya segelintir (dua?) Yang akan dibangun. (Saya menggunakan ini untuk pengujian bagian dan pembuatan kurva, meskipun dengan kesesuaian tegangan yang lebih tinggi saya mungkin menemukan lebih banyak kegunaan...
Ini yang saya tahu tentang NPN BJTs (Bipolar Junction Transistor): Base-Emitter saat ini diperkuat kali HFE di Collector-Emitter, sehingga Ice = Ibe * HFE Vbeadalah tegangan antara Base-Emitter, dan, seperti dioda apa pun, biasanya sekitar 0,65V. Tapi saya tidak ingat Vec. Jika Vbelebih rendah...
Dalam latihan pekerjaan rumah saya perlu membuat sketsa grafik Vout-vs-Vin, setelah terlebih dahulu diperoleh secara analitis. Saya tahu bahwa Ur dan Vin sama-sama tidak negatif, dan sirkuit ditampilkan di sini: Sepertinya ada banyak simetri di sirkuit, dan bahwa sirkuit yang tampaknya rumit ini...
Saya membaca dalam buku teks (Sirkuit Mikroelektronika oleh Sedra dan Smith, hal 494, (2010) edisi keenam) bahwa BJT lebih disukai oleh industri otomotif karena keandalannya dalam kondisi cuaca buruk. Saya mengerti bahwa suhu mempengaruhi konsentrasi pembawa, tetapi bagaimana ini menyebabkan BJT...
Saya sudah berusaha sangat keras untuk memahami prinsip operasional dasar sebuah transistor. Saya telah merujuk banyak buku dan berkunjung ke forum tetapi tidak pernah mendapat jawaban yang meyakinkan. Inilah beberapa hal yang ingin saya pahami: Transistor mirip dengan dioda bias terbalik...
Dalam skema ini, apa arti dioda Schottky seperti "barbs" pada beberapa BJT di mana basis terhubung? Saya belum pernah menemukan simbol ini