Apa yang akan terjadi jika untuk transistor BJT, terminal emitornya diperlakukan sebagai kolektor dan kolektor sebagai emitor dalam rangkaian penguat emitor yang umum?
Ini akan bekerja tetapi akan memiliki (beta) yang lebih rendah
BJT dibentuk oleh dua pn junction (baik npnatau pnp), jadi pada pandangan pertama simetris. Tetapi baik konsentrasi dopan dan ukuran daerah (dan yang lebih penting : area persimpangan) berbeda untuk tiga wilayah. Jadi itu tidak akan bekerja pada potensi penuh. (seperti menggunakan tuas terbalik)
Wiki tentang BJT : lihat terutama bagian Structuredan reverse-activemode operasi
Kurangnya simetri terutama disebabkan oleh rasio doping emitor dan kolektor. Emitor di-doping berat, sedangkan kolektor di-doping ringan, memungkinkan tegangan bias balik yang besar untuk diterapkan sebelum persimpangan kolektor-pangkalan rusak. Persimpangan kolektor-basis bias terbalik dalam operasi normal. Alasan emitor sangat didoping adalah untuk meningkatkan efisiensi injeksi emitor : rasio pembawa disuntikkan oleh emitor ke mereka yang disuntikkan oleh pangkalan. Untuk penguatan arus tinggi, sebagian besar pembawa yang disuntikkan ke persimpangan basis-emitor harus berasal dari emitor .
Catatan lain : BJT klasik dibuat menumpuk tiga wilayah secara linear (lihat gambar di sebelah kiri), tetapi bipolar modern, yang direalisasikan dalam teknologi permukaan (MOS), juga akan memiliki bentuk yang berbeda untuk kolektor dan penghasil emisi (di kanan) :
Di sebelah kiri BJT tradisional, di sebelah kanan BJT dalam teknologi MOS (juga disebut Bi-CMOS ketika kedua transistor digunakan pada cetakan yang sama)
Jadi perilakunya akan semakin terpengaruh.
Apa clabacchio terjawab dalam jawabannya adalah bahwa mode terbalik dari BJT dapat berguna dalam beberapa skema.
Dalam mode ini, BJT memiliki tegangan saturasi yang sangat rendah. Beberapa mV adalah nilai umum.
Perilaku ini telah digunakan di masa lalu untuk membuat sakelar analog, pompa pengisian daya dan sejenisnya, di mana tegangan saturasi menentukan keakuratan perangkat.
Sekarang MOSFET digunakan dalam aplikasi semacam itu.
Jika seseorang ingin melakukan percobaan, perhatikan bahwa tidak setiap BJT dapat bekerja dalam mode terbalik. Coba berbagai jenis, mengukur h21e.
Tetapi jika modelnya cocok, h21e bisa lebih besar dari 5..10, yang merupakan nilai yang cukup bagus. Untuk membuat BJT saturasi, Ic / Ib harus 2..3;
sumber