Akankah membaca data menyebabkan SSD menjadi usang?

27

Sudah menjadi rahasia umum bahwa penulisan yang berlebihan (termasuk memformat, mendefragmentasi, dll.) Akan, pada waktunya, menguras solid state drive. Tetapi apakah membaca banyak data dari SSD menyebabkan pemakaian juga?

Saya berencana mengaktifkan prefetching pada mesin Linux dengan SSD. Saya telah menonaktifkan atime.

ssd storage Mengembara Nauta
sumber
3
Saya akan mencatat bahwa, meskipun ini adalah pengetahuan umum, kebanyakan orang sangat melebih-lebihkan seberapa cepat mereka akan kehabisan tulisan pada SSD. Intel secara khusus menyatakan Anda dapat menulis lebih dari 21GB sehari selama sepuluh tahun berturut - turut tanpa melelahkan penulisan pada drive tingkat konsumen mereka .
Shinrai
(
Lagi
3
Pikirkan untuk menekuk sepotong logam (seperti gantungan baju). Anda dapat "menulis" informasi ke dalamnya (misalnya, lurus = 0, bengkok = 1) dengan menekuknya, dan "membaca" informasi dengan melihatnya. Anda dapat membacanya sebanyak yang Anda inginkan tanpa membahayakan (signifikan), tetapi Anda hanya dapat menulis berulang kali sebelum rusak.
Synetech
1
@Synetech - Kesan saya adalah bahwa lokasi fisik data pada SSD adalah A: sebagian besar tidak relevan dalam 99% keadaan dan B: Tidak dipahami dengan baik oleh sebagian besar perangkat lunak defragmentasi karena ditulis dengan mengharapkan hard drive, dan juga pengontrol pada drive menangani sebagian besar barang-barang itu (benda-benda diletakkan di tempat yang berbeda untuk keperluan meratakan keausan, dll). Tentu saja terlalu menyederhanakan di sini.
Shinrai
3
Hampir semua informasi dalam komentar ini sudah ketinggalan zaman.
David Schwartz

Jawaban:

30

Tidak memengaruhi perangkat. Masa penulisan terbatas Flash adalah konsekuensi alami dari cara kerjanya.

Data pada drive Flash aman karena bit disimpan oleh elektron yang terkunci di lapisan yang sangat terisolasi. Elektron ini, jika ada, menghasilkan medan listrik yang dapat diambil oleh transistor terdekat. Karena terkunci, membacakan transistor tidak mempengaruhi elektron. Selama menulis, bagaimanapun, untuk mendapatkan elektron melalui lapisan itu Flash membutuhkan tegangan yang sangat tinggi. Tegangan tinggi ini menyebabkan beberapa kerusakan pada lapisan isolasi, yang timbul.

Sebagai perbandingan, DRAM tidak memiliki lapisan isolasi seperti itu. Elektron bergerak dengan mudah. Akibatnya, DRAM lebih cepat dan tidak rusak dari penulisan, tetapi elektron yang bocor sering perlu diganti. Matikan daya dan semuanya hilang dalam milidetik.

MSalters
sumber
8
Meskipun membaca sendiri tidak berbahaya secara langsung, perlu dicatat bahwa pembacaan yang berlebihan dapat menyebabkan firmware menghasilkan penulisan latar belakang. Yang mengatakan, latar belakang menulis mungkin tidak signifikan dalam banyak kasus. Info lebih lanjut: superuser.com/a/725145/6091
rob
4

Saya tidak percaya proses membaca mempengaruhi sel-sel NAND walaupun saya bisa salah (misalnya, lihat bagian bawah artikel ini ). Bisa jadi jika "halaman" atau eraseblock tidak diprogram ulang dalam waktu yang sangat lama ada kemungkinan (mungkin sangat kecil) beberapa bit akan kembali ke keadaan tidak terprogram. Tidak yakin apakah firmware mempertimbangkan ini dan menulis ulang / memetakan kembali halaman yang belum dibaca dalam waktu lama.

LawrenceC
sumber
Menarik. Apakah Anda memiliki lebih banyak informasi (daripada hanya artikel itu) tentang perilaku ini?
dtmland
Sayangnya saya tidak tetapi akan mencoba untuk mengingat untuk memperbarui jika saya menemukan info lebih lanjut.
LawrenceC
2
Perlu dicatat bahwa pembacaan itu sendiri tidak berbahaya, tetapi pembacaan yang berlebihan dapat menyebabkan firmware membuat penulisan latar belakang untuk mengatasi kesalahan retensi dan kesalahan pembacaan. @ dtmland Lihat jawaban saya untuk pertanyaan serupa yang terinspirasi oleh jawaban ultrasawblade. superuser.com/a/725145/6091
rob
3

Bagian keandalan dari tabel ini tidak menyebutkannya, jadi saya menganggap membaca tidak mempengaruhi drive.

Bart van Heukelom
sumber
1
Itu akan menjadi asumsi saya juga, tetapi saya ingin sangat yakin - menonaktifkan prefetching gratis, SSD baru harganya mahal.
Mengembara Nauta
1

Memori flash hanyalah eeprom (chip yang dapat diprogram ulang. Ini adalah pemrograman ulang yang menyebabkan keausan, bacaan tidak terbatas. Untuk membaca memori yang adil. Http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash artikel ini berbicara sedikit tentang bagaimana pemrograman ulang bekerja, dan bagaimana pada dasarnya 'membakar' data ke dalam memori.

Brian
sumber
1
Flash! == EEPROM
Alvin Wong
Ya, ini bukan EEPROM secara teknis, tetapi ini masih berlaku karena pembacaan tidak menyebabkan kerusakan.
Shinrai