Bagaimana dual power PIC18F4550?

8

Di datasheet ada shematic ini bagaimana dual power 18F4550 . Namun mereka tidak menentukan transistor mana yang digunakan dan nilai resistor apa yang harus. Untuk kapasitor saya menggunakan 100uF (sisi dioda) dan 470nF (sisi Vusb). Saya mencoba memasukkan BJT apa pun yang saya miliki di rumah tetapi tidak beralih ke Vbus ketika Vself tidak tersedia.

Bisakah seseorang menyarankan BJT mana yang harus digunakan (model no.) Dan resistor mana yang harus disertakan. BJT seperti hutan gelap bagiku.

skema

Denis Pshenov
sumber
Transistor (nomor bagian) apa yang Anda gunakan?
W5VO
KSP06TA - es.co.th/detail.asp?Prod=12303085
Denis Pshenov
Jika PNP hanyalah dioda lain, kedua sumber daya akan aktif pada saat yang sama, tetapi seharusnya tidak ada masalah, kan?
mFeinstein

Jawaban:

7

Masalahnya adalah bahwa Anda menggunakan transistor NPN bukan transistor PNP yang ditentukan dalam skema. Mengganti transistor dengan perangkat PNP seharusnya bisa berfungsi. Transistor PNP umum yang dapat saya ingat dari atas kepala saya adalah 2N3906, tetapi mungkin ada perangkat lain yang lebih cocok untuk tugas ini.

Premis dasar dari sirkuit adalah bahwa ketika sirkuit tidak bertenaga sendiri, VSELF mengambang atau pada 0 V. Hal ini menyebabkan arus ditarik dari VBUS melalui emitor dan basis, dan melalui dua resistor ke tanah. Untuk memperkirakan berapa jumlah dari resistor ini, kita dapat membuat beberapa asumsi tentang rangkaian yang agak pesimistis. Kami akan mengatakan bahwa VBUS = 4,5 V dan kami akan menggambar 100 mA, yang merupakan salah satu level daya USB. Kami akan menggunakan lembar data 2N3906 untuk beberapa nomor ini.

masukkan deskripsi gambar di sini

VBE=0.8V to 0.9V at β=10 tergantung pada suhu (lihat gambar di atas)

IB=ICβ=100mA10=10mA

VB=VBUSVBE=4.5V0.9V=3.6V

R1+R2=VBIB=3.6V10mA=360Ω

Tanpa mengetahui apa lagi yang terhubung ke VSELF atau bagaimana berperilaku VSELF ketika tidak menyalakan perangkat, saya akan cenderung untuk merekomendasikan resistor bawah menjadi 330 Ohm, dan resistor atas menjadi 33 Ohm, atau menghilangkan resistor atas sepenuhnya (dan memiliki resistor bawah sama dengan 360 Ohm).

W5VO
sumber
1
Sementara 2N3906 akan dilakukan di sini saya akan memilih BC327 . hFE minimal 100 pada 100 mA, BC327-40 bahkan 250. Dalam banyak aplikasi Anda tidak dapat memiliki terlalu banyak hFE, dan jauh lebih mudah dan lebih murah untuk menggunakan jenis yang sama sebanyak mungkin. Juga membantu Anda untuk mengenal bagian itu.
stevenvh
1
@stevenvh Saya mencoba mengilustrasikan metode, belum tentu pilihan bagian yang optimal. Saya sadar bahwa 2N3906 umumnya merupakan perangkat sinyal kecil dan mungkin tidak tersedia untuk OP, tetapi saya tidak ingin membuatnya terlalu terlokalisasi (mis. "Gunakan saja transistor ini , Anda akan baik-baik saja").
W5VO
@ W5VO di mana Anda melihat dalam lembar data, Beta 10 tergantung pada suhu? Terima kasih ..
mFeinstein
@ mFeinstein Anda salah paham dengan pernyataan itu. Saya mengatakan bahwa pada saturasi (Beta = 10), Vbe akan berada di antara 0.8V dan 0.9V tergantung pada suhu. Pada halaman 3 datasheet tertaut, gambar kiri tengah menunjukkan Vbe vs. Ic pada 3 suhu. Pada suhu kamar, Vbe akan menjadi 0,9V. Pada 125 degC, Vbe akan berada di 0.8V.
W5VO
@ W5VO, saya masih tidak melihat dari mana Anda mendapatkan beta = 10. Bisakah Anda jelaskan?
mFeinstein