Apa perbedaan antara mengendarai gerbang MOSFET dan gerbang IGBT?

Dapatkah saya menggunakan driver gerbang IGBT yang cocok untuk mengendarai MOSFET, dan sebaliknya? Parameter mana (ambang batas, dataran tinggi, dan nyalakan peringkat tegangan, kapasitansi gerbang, dll) yang harus sama untuk kompatibilitas ini? Apa perbedaan mendasar antara mengemudikan kedua jenis gerbang ini?

Terkadang...

Dengan asumsi titik yang menarik adalah MOSFET daya dan bukan MOSFET sinyal kecil dan silikon (berlawanan dengan SiC, GaN)

Karakteristik pertama yang diperiksa adalah tegangan output. Untuk perangkat daya, mereka harus 0V hingga 12-15V (acpl-312T) untuk memenuhi ambang gerbang sekitar 4V (serta mampu mengemudi ke -15V jika turn-on miller menjadi perhatian). Karena itu driver MOSFET yang mengendarai IGBT & juga driver IGBT yang mengendarai MOSFET harusnya baik-baik saja.

Karakteristik berikutnya adalah arus puncak. IGBT akan memiliki kapasitansi gerbang yang jauh lebih besar dan karenanya akan membutuhkan arus puncak yang lebih tinggi untuk memastikan perangkat jenuh secepat mungkin. Kebalikan dari ini adalah MOSFET dapat diaktifkan lebih cepat dan karena itu permintaan rms saat ini untuk menggerakkan MOSFET mungkin lebih tinggi.

Semakin tinggi frekuensi switching saat ini atau lebih tinggi mempengaruhi kemampuan daya driver.

driver gerbang IGBT yang cocok

Dan kunci pertanyaan Anda adalah "cocok".

Jawaban singkatnya adalah ya, Anda bisa.

IGBT menggabungkan FET gerbang terisolasi untuk input kontrol dan transistor daya bipolar sebagai sakelar dalam satu perangkat (wikipedia).

Pertanyaan Anda sudah berisi pertimbangan yang tepat, "ambang batas, dataran tinggi, dan nyalakan peringkat tegangan, kapasitansi gerbang, dll."

Ketahuilah bahwa beberapa driver IGBT juga menyertakan voltase mematikan negatif (untuk pergantian yang lebih cepat)

Berikut ini, Diambil dari Penyearah Internasional

Secara inheren baik MOSFET maupun IGBT tidak membutuhkan bias negatif pada gerbang. Mengatur voltase gerbang ke nol pada belokan memastikan pengoperasian yang benar dan secara virtual memberikan bias negatif relatif terhadap tegangan ambang perangkat. Bias gerbang negatif tidak secara signifikan mempengaruhi kecepatan switching yang bertentangan dengan transistor bipolar. Namun, ada beberapa kondisi ketika drive gerbang negatif diperlukan:

• Pabrikan semikonduktor menentukan bias gerbang negatif untuk perangkat
• Ketika tegangan gerbang tidak dapat ditahan dengan aman di bawah tegangan ambang karena kebisingan yang dihasilkan dalam rangkaian. Meskipun referensi akan dibuat untuk IGBT, informasi yang terkandung juga berlaku untuk MOSFET daya.