Mengapa DRAM mempertahankan statusnya lebih baik saat dingin (saat dimatikan)?

Maaf jika ini di luar topik. Mungkin lebih cocok untuk forum perangkat keras komputer, tetapi saya tidak dapat menemukan sesuatu yang sesuai.

Saya telah membaca tentang metode boot dingin , yang dapat digunakan dalam penyelidikan forensik, oleh pemerintah musuh, atau oleh penyerang kriminal untuk mendapatkan kunci hard drive yang dienkripsi dari DRAM ketika komputer dimatikan. Metode ini membuat saya terpesona, karena saya tidak pernah menyadari DRAM mempertahankan statusnya saat dimatikan, tetapi tampaknya kapasitor dapat mempertahankan sebagian muatannya selama beberapa menit atau bahkan berjam-jam ketika komputer mati.

Sesuatu yang saya pikirkan. Makalah itu mengatakan bahwa tingkat peluruhan secara signifikan melambat pada suhu yang lebih rendah. Kenapa begitu? Saya menduga itu karena elektron kurang bersemangat pada suhu yang lebih rendah, sehingga mereka cenderung melompat dari molekul ke molekul, sehingga kapasitor mampu mempertahankan muatannya lebih lama. Apakah saya benar dalam memikirkan ini?

Ini pada dasarnya karena kebocoran arus transistor dalam sel DRAM tergantung suhu . Berikut adalah skema sel DRAM khas (diambil dari buku itu):

Dan inilah grafik umum tentang bagaimana arus bocor bervariasi dengan suhu untuk FET tingkat IC

Grafik terakhir adalah dari buku lain . Ini sebenarnya adalah ketergantungan eksponensial pada suhu (perhatikan plot semilog), didekati dengan baik hanya dengan menggunakan model dioda Shockley . Buku itu mengatakan bahwa "aturan umum adalah bahwa arus bocor berlipat ganda untuk setiap kenaikan suhu 10C".